SIHW73N60E-GE3 datasheet
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>> SIHW73N60E-GE3 MOSFET 650V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
SIHW73N60E-GE3
库存数量:
可订货
制造商:
Vishay/Siliconix
描述:
MOSFET 650V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET 650V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS
SIHW73N60E-GE3 PDF下载
制造商
Vishay/Siliconix
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
600 V
闸/源击穿电压
漏极连续电流
73 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
99 mOhms at 10 V
配置
Single
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AD
封装
Bulk
相关资料
属性
链接
代理商
SIHW73N60E-GE3
SII0646BCM100
SII0648CL160
SII0649CL160
SII0649CL160A
SII0680ACL144/SIL0680ACL144
供应商
公司名
电话
上海鑫科润电子科技有限公司
18521007236
鑫科润
深圳市一线半导体有限公司
0755-83789203
谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
深圳市鹏展胜电子有限公司
0755-82769203
林先生
深圳市新良宇电子有限公司
0755-83237632
李先生
集好芯城
0755-83289799
陈先生 13360533550
深圳市芯易芯科技有限公司
0755-84864007
曾先生
SIHW73N60E-GE3 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
1
22.936
22.936
10
18.492
184.92
100
16.726
1672.6
250
14.89
3722.5
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