买卖IC网 >> 产品目录 >> SIHW73N60E-GE3 MOSFET 650V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS datasheet RF/IF 和 RFID
型号:

SIHW73N60E-GE3

库存数量:可订货
制造商:Vishay/Siliconix
描述:MOSFET 650V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS
RoHS:
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 650V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS
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制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 600 V
闸/源击穿电压
漏极连续电流 73 A
电阻汲极/源极 RDS(导通) 99 mOhms at 10 V
配置 Single
最大工作温度 + 150 C
安装风格 Through Hole
封装 / 箱体 TO-247AD
封装 Bulk
相关资料
供应商
公司名
电话
上海鑫科润电子科技有限公司 18521007236 鑫科润
深圳市一线半导体有限公司 0755-83789203 谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
深圳市鹏展胜电子有限公司 0755-82769203 林先生
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集好芯城 0755-83289799 陈先生 13360533550
深圳市芯易芯科技有限公司 0755-84864007 曾先生
  • SIHW73N60E-GE3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 22.936 22.936
    10 18.492 184.92
    100 16.726 1672.6
    250 14.89 3722.5